ตั้งแต่กระบวนการทำความสะอาดและกัดลายชิป ซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงค่าพีเอชอย่างมากจนต้องมีการปรับสมดุลให้เป็นกลาง

ส่วนใหญ่มาจากกระบวนการกัดด้วยสารละลายเปียก ซึ่งมีความเข้มข้นของฟลูออไรด์สูงและมีพิษ จึงจำเป็นต้องกำจัดออกอย่างมีประสิทธิภาพ

ประกอบด้วยอนุภาคซิลิกาขนาดนาโน สารเติมแต่งอินทรีย์ และไอออนโลหะ โดยมีปริมาณของแข็งแขวนลอยและความขุ่นสูง

จากกระบวนการต่างๆ เช่น การเติบโตของฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ ที่มีความเข้มข้นของแอมโมเนียสูง ซึ่งอาจยับยั้งการบำบัดทางชีวภาพได้

ตั้งแต่การชุบโลหะด้วยไฟฟ้าและการเดินสายไฟ ซึ่งมีส่วนประกอบของทองแดง นิกเกิล เป็นต้น โดยจำเป็นต้องแยกเก็บและบำบัดอย่างเป็นเอกเทศ

ตั้งแต่การถ่ายภาพด้วยแสงและการล้างออก โดยมีค่า COD สูงและสารอินทรีย์ที่คงทน เช่น TMAH, IPA และ PGME