จากกระบวนการทำความสะอาดและกัดกร่อนชิป ซึ่งมีการเปลี่ยนแปลงค่าพีเอชมาก จนต้องมีการปรับสภาพให้เป็นกลาง

ส่วนใหญ่มาจากกระบวนการกัดแบบเปียก ซึ่งมีความเข้มข้นของฟลูออไรด์สูงและเป็นพิษ จึงต้องการวิธีการกำจัดที่มีประสิทธิภาพ

ประกอบด้วยอนุภาคซิลิกาขนาดนาโน สารเติมแต่งอินทรีย์ และไอออนโลหะ พร้อมปริมาณของแข็งที่แขวนลอยและความขุ่นสูง

จากกระบวนการต่างๆ เช่น การเติบโตของฟิล์มซิลิคอนไนไตรด์ ซึ่งมีความเข้มข้นของแอมโมเนียสูงจนสามารถยับยั้งการบำบัดทางชีวภาพได้

จากกระบวนการชุบโลหะด้วยไฟฟ้าและการเดินสายไฟ ซึ่งมีส่วนประกอบของทองแดง นิกเกิล เป็นต้น จำเป็นต้องแยกเก็บและบำบัดอย่างเฉพาะเจาะจง

จากกระบวนการโฟโตลิโทกราฟีและการลอกออก ซึ่งมีค่า COD สูงและสารอินทรีย์ที่ยั่งยืน เช่น TMAH, IPA และ PGME